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霍爾效應測量係統你了解嗎

來源:http://www.villakostic.com/news/164.html  發布時間 : 2020-09-09

霍爾效應測量係統儀器簡介:
歐洲高性能霍爾效應測量係統,廣泛應用於半導體材料、低阻材料和高阻材料等物理性能的研究;可對多種重要物理參量如:電阻率、霍爾係數、載流子濃度、遷移率、磁電阻和V-I曲線等測量和分析;

可測試材料:
半導體材料:包括 SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, and HgCdTe,磚石鐵,氧體材料;
低阻材料:包括金屬、透明氧化物、稀磁半導體器件和TMR材料
高阻材料:包括半導體絕緣材料、GaAs、GaN、CdTe和光電探測器



技術參數:
電流源:
測量範圍: 1nA - 10 mA
輸出電壓: +/- 10V (+/-20V)
輸出電阻: typical 1013 Ohms
電流分辨率: 25 pA

電壓測量:
測量範圍: 10 mV - 10V(自動量程選擇)
分辨率 : <500nV
輸入電阻: > 1013 Ohms

磁場範圍:0.45T~2T(牛津磁體);

電阻測量範圍: 1x10-3 Ohm - 1x109 Ohm
電阻率測量範圍: 1 x10-5 Ohm*cm - 1x107 Ohm*cm
載流子濃度範圍: 107 cm-3 - 1021 cm-3

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